隨著新能源電動汽車行業的蓬勃發展，其動力系統的關鍵組件：IGBT及SiC MOSFET驅動件需求量十分可觀；為更好地迎合上述市場的需求，金升陽推出了高性能的第三代插件式單路驅動電源QA_(T)-R3S系列（“T”為貼片式封裝）。

該產品適用于充電樁、新能源光伏、智能電網、工業控制、軌道交通和變頻白電等行業。

產品優勢

1 QA-R3S系列驅動電源產品

①5000VAC高可靠隔離電壓,滿足加強絕緣

輸入-輸出隔離電壓高達5000VAC，優于市場上常規產品，且滿足加強絕緣設計要求，整體可靠性得到極大提升。

②滿足1700V長期絕緣要求（適用1700V及以下的IGBT/SiC MOSFET）

基于IEC-61800-5-1標準要求，實現長期絕緣電壓（局部放電）達到1700V，應用范圍覆蓋1700V及以下的IGBT/SiC MOSFET器件。

③高可靠性，耐受1000+次溫度沖擊

④多項性能指標提升

該系列驅動電源相較于友商類似產品，在整體性能上可做到與行業水平持平或更優。

2 QA_T-R3S系列驅動電源產品

①5000VAC高可靠隔離電壓,滿足加強絕緣

輸入-輸出隔離電壓高達5000VAC，優于市場上常規產品，且滿足加強絕緣設計要求，整體可靠性得到極大提升。

②滿足2000V/2500V長期絕緣要求，6W產品原副邊間距>14mm

該系列2.4W產品基于IEC-61800-5-1標準要求，實現長期絕緣電壓（局部放電）達到2.5kV，應用范圍覆蓋2.5kV及以下的IGBT/SiC MOSFET器件；而6W產品長期絕緣電壓達到2kV，應用范圍覆蓋2kV及以下的IGBT/SiC MOSFET器件。

③貼片式封裝方式

該系列均采用SMD封裝方式，相比插件式封裝，可有效節省空間、更靈活地在電路板上布局，并可提高產品生產的自動化程度和產品的防潮性能。

④高可靠性，耐受1000+次溫度沖擊

⑤多項性能指標提升

典型應用

可應用于光伏逆變器、電機驅動、充電樁、智能電網、工業控制、軌道交通和變頻白電等多種場合。

產品特點

1)QA-R3S系列

隔離電壓 5000VAC 

滿足加強絕緣 

CMTI>200kV/μs 

超小隔離電容 3.5pF( typ.)

局部放電 1700V

效率高達 87% 

工作溫度范圍: -40℃ to +105℃

超小型 SIP 封裝 

2)QA_T-R3S系列

隔離電壓 5000VAC 

滿足加強絕緣 

CMTI>200kV/μs

超小隔離電容: 2.4W產品2.5pF(typ.)；6W產品13pF(typ.)

局部放電 2.4W產品2.5kV；6W產品2kV

效率超過80%,（2.4W產品86%；6W產品81%）

潮敏等級(MSL) 1

AEC-Q100 實驗中

擁有4項高新專利，方案完全自主可控

工作溫度范圍: -40℃ to +105℃